基于对先进技术和解决方案开展的研究,存储巨头竞逐HBM。作为存储器市场的重要组成部分,DRAM技术不断地升级衍生。DRAM从2D向3D技术发展,其中HBM是主要代表产品。HBM(High Bandwidth Memory,高带宽内存)将多个DDR芯片堆叠后和GPU封装在一起,实现大容量、高位宽的DDR组合阵列。通过增加带宽,扩展内存容量,让更大的模型,更多的参数留在离核心计算更近的地方,从而减少内存和存储解决方案带来的延迟。
【海通科技】国芯科技:AI HBM核心标的,高性能高安全边缘计算芯片内测成功
随着应用对AI的依赖度增加,需要HBM的加入来支援硬件,HBM及CXL将交互合作共同促进高算力AI发展,看好产业链核心标的国芯科技。
#公司高性能高安全边缘计算芯片新产品内部测试成功。
3月20日,公司公告高性能高安全边缘计算芯片新产品内部测试成功,CCP1080T是公司研发的基于自主 64 位 PowerPC 架构 C*Core CPU 内核的新一代高性能高安全边缘计算芯片,拥有双核 C9800 高性能 64 位 PowerPC 架构的处理器,运行频率常规条件下可达 1.8Ghz,Dhrystone 性能达 3.1DMIPS/Mhz,产品可应用于服务器、安全网关等领域。
#AI呼唤高性能HBM需求下公司估值将受益提升。
英伟达已经将SK海力士的第四代HBM安装至H100。HBM有助于突破AI发展中受限的硬件频宽瓶颈,未来市场上将出现更多相关应用。我们认为,作为HBM核心标的,公司在AI快速发展需求下估值将受益提升。
#PowerPC及RISC-V指令架构自主可控为长期逻辑。
在 ARM 架构较高的授权壁垒以及中美摩擦背景下,国家重大需求和其他客户的自主可控需求增长,公司自主可控 PowerPC 和 RISC-V 指令架构具有开源的优势,生态建设逐步加速,有较大替代空间。