复盘三星、海力士、美光最新法说会的展望，三大原厂虽认为2024年存储市场将会复苏，但复苏将主要集中在HBM和DDR5，对传统存储产品的投产仍保持谨慎。造成这种预期的原因主要有以下2点：1）AI服务器的需求强劲，带动HBM和DDR5的渗透率快速提升；2）HBM和DDR5的盈利性更强，且当前产能未能满足客户需求，后续将成为三大原厂投资的首选（高盈利性+高需求）。

何为HBM？HBM即高带宽存储器，是三星、AMD和SK海力士发起的一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，通过增加带宽，扩展内存容量，让更大的模型，更多的参数留在离核心计算更近的地方，进而减少延时。

HBM在封装工艺上的变化主要体现在CoWoS和TSV上。其中CoWoS是台积电的一种2.5D封装技术，TSV硅通孔则是实现容量和带宽扩展的核心，通过在整个硅晶圆厚度上打孔，在芯片正面和背面之间形成数千个垂直互连，凭借TSV方式，HBM大幅提高了容量和数据传输速率。国内掌握TSV技术的公司主要有通富微电（国内首家完成基于TSV技术的3DS DRAM封装开发的封测厂）和长电科技（TSV异质键合3DSoC的fcBGA通过认证），DDR5的封测厂主要是深科技（子公司沛顿科技具备DDR5、LPDDR5封测量产能力）

国内HBM设备端相关上市公司主要有赛腾股份（HBM缺陷量测和检测设备）、中微公司（在12英寸的3D芯片的TSV硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证）。亚威股份投资参股的苏州芯测拥有技术难度较高的存储芯片测试业务，并稳定供货于海力士。

上游材料相关上市公司有华海诚科（可以用于HBM封装的GMC颗粒状环氧塑封料已通过客户验证，现处于送样阶段）、雅克科技（SK海力士核心供应商，全球主要前驱体供应商之一）、联瑞新材（国内硅微粉龙头，持续聚焦异构集成先进封装Chiplet、HBM）、壹石通（Low-α球形氧化铝粉体在EMC或GMC中的体积填充率大约在80%-90%，有望受益HBM出货量增加）

海力士国内代理厂商香农芯创（SK海力士国内唯一代理商，具备SK海力士HBM分销商资质）、太极实业（旗下海太半导体为SK海力士DRAM提供后续服务）